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中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法

時(shí)間:2009-07-08 21:51:24來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 作者:admin 點(diǎn)擊:
無(wú)

半導(dǎo)體器件

一、 中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法


    半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分(場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分)組成。五個(gè)部分意義如下:


第一部分:用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管 class="wz_rc">二極管、3-三極管 class="wz_rc">三極管
第二部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí):A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí):A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料


第三部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。

P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開(kāi)關(guān)管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高頻小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高頻大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半導(dǎo)體晶閘管(可控整流器 class="wz_rc">整流器)、Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場(chǎng)效應(yīng)管 class="wz_rc">場(chǎng)效應(yīng)管、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分:用數(shù)字表示序號(hào)
第五部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示規(guī)格號(hào)
例如:3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管

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