正確連接時(shí):剛上電,MOS管的寄生二極管導(dǎo)通,電源與負(fù)載形成回路,所以S極電位就是VBAT-0.6V,而G極電位是0V,PMOS管導(dǎo)通,從D流向S的電流把二極管短路。
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晶振又稱石英晶體振蕩器,晶振是一種利用應(yīng)時(shí)晶體(石英晶體)的壓電效應(yīng)制成的諧振器件。
晶振是指從應(yīng)時(shí)晶體上按一定方位切割下來(lái)的薄片,是時(shí)鐘電路中最重要的元件。晶振的工作原理是在一定狀態(tài)下,機(jī)械能和電能可以通過(guò)內(nèi)部振蕩電路相互轉(zhuǎn)換。
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概述
TDM3478使用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供優(yōu)良的RDS(ON)和低柵極電荷。該設(shè)備適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或在PWM應(yīng)用程序中使用。
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兆科電子的熱管理材料能夠很好地解決電磁爐電路板和線圈盤(pán)等發(fā)熱元器件在復(fù)雜環(huán)境的可靠性和電磁兼容性問(wèn)題。鑒于電磁爐對(duì)導(dǎo)熱材料的高導(dǎo)熱需求,兆科主要推薦的材料是導(dǎo)熱硅膠片和導(dǎo)熱硅脂產(chǎn)品來(lái)解決散熱方案。
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DC-DC升壓電路在電子電路中是很常見(jiàn)的,無(wú)論是匹配不同器件的工作電壓需要還是為了提高足夠的輸出功率,都必須用到升壓電路。特別是便攜式的電子產(chǎn)品,電源是電池供電,如單
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針對(duì)升壓值13V以下的DC-DC升壓應(yīng)用需求,推廣一款集成10A開(kāi)關(guān)管的12.8V輸出、大電流非同步DC-DC升壓IC:HT7180。HT7180采用獨(dú)到的電路研發(fā)技術(shù)以及先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制程,基于SOP8封裝,工作效率高達(dá)90%以上,無(wú)需外加散熱器,3.7V輸入升壓到12V,可穩(wěn)定輸出2A電流。
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深圳市永阜康科技有限公司針對(duì)大功率的DC-DC升壓應(yīng)用需求,推廣一款集成15A開(kāi)關(guān)管的26.8V、120W輸出、大電流非同步DC-DC升壓IC-HT7179。HT7179采用獨(dú)到的電路研發(fā)技術(shù)以及先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝,重載時(shí)高達(dá)93%以上的工作效率,無(wú)需外加散熱器,升壓到26.8V,可穩(wěn)定輸出120W。
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Source、Drain、Gate —— 場(chǎng)效應(yīng)管的三極:源級(jí)S、漏級(jí)D、柵級(jí)G。(這里不講柵極GOX擊穿了啊,只針對(duì)漏極電壓擊穿)
先講測(cè)試條件,都是源柵襯底都是接地,然后掃描漏極電壓,直至Drain端電流達(dá)到1uA。所以從器件結(jié)構(gòu)上看,它的漏電通道有三條:Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。
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三極管ON狀態(tài)時(shí)工作于飽和區(qū),導(dǎo)通電流Ice主要由Ib與Vce決定,由于三極管的基極驅(qū)動(dòng)電流Ib一般不能保持恒定,因而Ice就不能簡(jiǎn)單的僅由Vce來(lái)決定,即不能采用飽和Rce來(lái)表示(因Rce會(huì)變化)。由于飽和狀態(tài)下Vce較小,所以三極管一般用飽和Vce表示。
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在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到,在GS,GD之間存在寄生電容,而MOS管的驅(qū)動(dòng),實(shí)際上就是對(duì)電容的充放電。對(duì)電容的充電需要一個(gè)電流,因?yàn)閷?duì)電容充電瞬間可以把電容看成短路,所以瞬間電流會(huì)比較大。選擇/設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
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一般正規(guī)廠商生產(chǎn)的電子元器件都會(huì)在元器件的空白處標(biāo)明廠家、元器件編號(hào)和生產(chǎn)日期等信息。
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金屬探測(cè)器電路圖 金屬探測(cè)器可應(yīng)用很多領(lǐng)域,當(dāng)然,金屬探測(cè)器根據(jù)工作原理的不同,也可以分為很多種的類型電路,今天我們主要介紹的是用集成電路555制作的金屬探測(cè)器,由
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一般說(shuō)明
PW2308采用先進(jìn)的溝道技術(shù),提供優(yōu)秀的RDS(ON)、低柵極充電和低至4.5V的柵極電壓運(yùn)行。該器件適合用作電池保護(hù)或其他開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
特征 VDS=60V,ID=5A
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一般說(shuō)明
PW2337采用先進(jìn)的溝道技術(shù),提供優(yōu)秀的RDS(ON),低柵電荷柵極電壓低至4.5V,適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。
特征
VDS=-100V,ID=-0.9A
RDS(開(kāi))<650m
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一般說(shuō)明
PW2309采用先進(jìn)的溝道技術(shù),提供優(yōu)秀的RDS(ON),低柵電荷柵極電壓低至4.5V,適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。
特征
VDS=-60V,ID=-3A
RDS(開(kāi))<180m&Om
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一般說(shuō)明
PW2319采用先進(jìn)的溝道技術(shù),提供優(yōu)秀的RDS(ON),低柵電荷柵極電壓低至4.5V,適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。
特征
VDS=-40V,ID=-5A
RDS(開(kāi))<70m&Ome
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn),因而也被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。尤其用場(chǎng)效管做整個(gè)電子設(shè)備的輸入級(jí),可以獲得一般晶體管很難達(dá)到的性能。
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國(guó)內(nèi)命名方法:3DG1815-Y,第一部分用阿拉伯字表示器件的電極數(shù)目 2:表示二極管;3:表示三極管;
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電子行業(yè)對(duì)環(huán)境造成了影響,從正面來(lái)看,在照明、電機(jī)控制、傳感器和其他眾多應(yīng)用當(dāng)中增加電子元器件的使用大幅提高了能效,以及對(duì)環(huán)境進(jìn)行監(jiān)測(cè)和控制的能力。而從負(fù)面來(lái)看,電子產(chǎn)品的普及導(dǎo)致垃圾填埋場(chǎng)充斥著大量電子垃圾,并且向我們的環(huán)境排放有害物質(zhì)。人們已經(jīng)對(duì)該行業(yè)內(nèi)的多種理念和趨勢(shì)進(jìn)行了探索。
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以前商鋪的專業(yè)性應(yīng)該是一項(xiàng)要考慮的因素,當(dāng)我們走過(guò)電子專業(yè)商鋪時(shí),如果發(fā)現(xiàn)玻璃柜中各種各樣的電路板或者各種形狀的電阻接頭時(shí),我們可以安心地走進(jìn)去購(gòu)買電路板或者按
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