TDM3478使用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）和低柵極電荷。該設(shè)備適用于作為負(fù)載開關(guān)或在PWM應(yīng)用程序中使用。" />

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TDM3478 N-通道增強(qiáng)模式MOSFET芯片

時(shí)間:2023-08-01 11:24:37來源: 作者: 點(diǎn)擊:次

概述
TDM3478使用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）和低柵極電荷。該設(shè)備適用于作為負(fù)載開關(guān)或在PWM應(yīng)用程序中使用。

概述
TDM3478使用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）和低柵極電荷。該設(shè)備適用于作為負(fù)載開關(guān)或在PWM應(yīng)用程序中使用。

一般說明
RDS（ON）< 9.7mΩ @ VGS=4.5V
RDS（ON）< 6mΩ @ VGS=10V
高功率和電流處理能力
ESD保護(hù)
表面安裝包
無鉛和綠色設(shè)備可用（RoHS兼容）

應(yīng)用
PWM應(yīng)用程序
負(fù)載交換機(jī)
電源管理
供電系統(tǒng)
TDM3478-1

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