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英文介紹：Electronic materials refers to electronic technology and materials used in microelectronics technology, including semiconductor materials, dielectric materials, piezoelectric and ferroelectric materials, magnetic materials, some metal materials, polymer materials, and other relevant materials, the most important is the semiconductor material.
    電子材料是指在電子技術(shù)和微電子技術(shù)中使用的材料，半導(dǎo)體材料、介電材料、壓電及鐵電材料、磁性材料、某些金屬材料、高分子材料以他相關(guān)材料，其中最重要的是半導(dǎo)體材料。
    在電子和微電子技術(shù)中，半導(dǎo)體材料主要用來制做晶體管、集成電路、固態(tài)激光器的探測(cè)器等器件。1906年發(fā)明真空三極管，奠定了本世紀(jì)上半葉無線電電子學(xué)發(fā)展的基礎(chǔ)，但采用真空管的裝備體積笨重、能耗大、故障率高。1948年發(fā)明了半導(dǎo)體晶體管，使電子設(shè)備走向小型化、輕量化、省能化，晶體管的功耗僅為電子管的百萬分之一。1958年出現(xiàn)了集成電路。集成電路的發(fā)展帶來了電子計(jì)算機(jī)的微小型化，從而使人類社會(huì)掀開了信息時(shí)代新的一頁。目前制造集成電路的主要材料是硅單晶。硅的主要特性是機(jī)械強(qiáng)度高、結(jié)晶性好、自然界中儲(chǔ)量豐富、成本低，并且可以拉制出大尺寸的硅單晶。可以說，硅材料是大規(guī)模集成電路的基石。
    硅固然是取之不盡、用之不竭的原材料，但化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵很成為繼硅之后第二種最重要的半導(dǎo)體材料。與硅相比，砷化鎵具有更高的禁帶寬度，因而砷化鎵囂器件可以用于更高的工作溫度，又它具有更高的電子遷移率，于要求更高頻率和更高開關(guān)速度的場(chǎng)合，這也就使它成為制造高速計(jì)算機(jī)的關(guān)鍵材料。砷化鎵材料更重要的一個(gè)特性是它的光電效應(yīng)，可以使它成為激光光源，這是實(shí)現(xiàn)光纖通訊的關(guān)鍵。因而預(yù)計(jì)砷化鎵材料在世紀(jì)之交的90年代將有一個(gè)大發(fā)展。
    在高真空條件下，采用分子速外延（MBE）、化學(xué)氣相沉積（CVD）、液相外延（LPE）金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）、化學(xué)束外延（CBE）等方法，在晶體襯底上一層疊一層地生長(zhǎng)出不同材料的薄膜來，每層只有幾個(gè)原子層，這樣生長(zhǎng)出來的材料叫超晶格材料。超晶格的出現(xiàn)將為半導(dǎo)體材料、器件的發(fā) 展開辟更新的天地。容－源－電－子－網(wǎng)－為你提供技術(shù)支持

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