1:電路原理:電路圖如下
可控硅交流調(diào)壓器由可控整流電路和觸發(fā)電路兩部分組成,其電路原里圖如下圖。 從圖中可知,二極管D1—D4組成橋式整流電路,雙基極二極管T1構(gòu)成張弛振蕩器可控硅的同步觸發(fā)電路。當(dāng)調(diào)壓器接上市電后,220V交流電通過(guò)負(fù)載電阻RL經(jīng)二極管D1—D4整流,在可控硅SCR的A、K兩端形成一個(gè)脈動(dòng)直流電壓,該電壓由電阻R1降壓后觸發(fā)電路的直流電源。在交流電的正半周時(shí),整流電壓通過(guò)R4、W1對(duì)電容C充電。當(dāng)充電電壓Uc達(dá)到T1管的峰值電壓Up時(shí),T1管由截止變?yōu)閷?dǎo)通,于是電容C通過(guò)T1管的e、b1結(jié)和R2迅速放電,結(jié)果在R2上獲得一個(gè)尖脈沖。脈沖控制信號(hào)送到可控硅SCR的控制極, 使可控硅導(dǎo)通。可控硅導(dǎo)通后的管壓降很低,小于1V,張弛振蕩器停止工作。當(dāng)交流電通過(guò)零點(diǎn)時(shí),可控硅自關(guān)斷。當(dāng)交流電在負(fù)半周時(shí),電容C又從新充電……如此周而復(fù)始,便可負(fù)載RL上的功率了。
2:元器件選擇
調(diào)壓器的調(diào)節(jié)電位器選用阻值為470KΩ的WH114-1型合成碳膜電位器,這種電位器可以直接焊在電路板上,電阻除R1要用功率為1W的金屬膜電阻外,其佘的都用功率為1/8W的碳膜電阻。D1—D4選用反向擊穿電壓大于300V、最大整流電流大于0.3A的硅整流二極管,如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。SCR選用正向與反向電壓大于300V、額定平均電流大于1A的可控硅整流器件,如國(guó)產(chǎn)3CT系例。
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