雙極型晶體管參數(shù)符號及其意義Cc——-集電極
電容Ccb——-集電極與基極間
電容Cce——-發(fā)射極接地輸出
電容Ci——-輸入
電容Cib——-共基極輸入
電容Cie——-共發(fā)射極輸入
電容Cies——-共發(fā)射極短路輸入
電容Cieo——-共發(fā)射極開路輸入
電容Cn——-中和
電容(外電路參數(shù))
Co——-輸出
電容Cob——-共基極輸出
電容。在基極電路中,集電極與基極間輸出
電容Coe——-共發(fā)射極輸出
電容Coeo——-共發(fā)射極開路輸出
電容Cre——-共發(fā)射極反饋
電容Cic——-集電結(jié)勢壘
電容CL——-負載
電容(外電路參數(shù))
Cp——-并聯(lián)
電容(外電路參數(shù))
BVcbo——-發(fā)射極開路,集電極與基極間擊穿電壓
BVceo——-基極開路,CE結(jié)擊穿電壓
BVebo——- 集電極開路EB結(jié)擊穿電壓
BVces——-基極與發(fā)射極短路CE結(jié)擊穿電壓
BV cer——-基極與發(fā)射極串接一
電阻,CE結(jié)擊穿電壓
D——-占空比
fT——-特征頻率
fmax——-最高
振蕩頻率。當
三極管功率增益等于1時的工作頻率
hFE——-共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù)
hIE——-共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗
hOE——-共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導
h RE——-共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù)
hie——-共發(fā)射極小信號短路輸入阻抗
hre——-共發(fā)射極小信號開路電壓反饋系數(shù)
hfe——-共發(fā)射極小信號短路電壓放大系數(shù)
hoe——-共發(fā)射極小信號開路輸出導納
IB——-基極直流電流或交流電流的平均值
Ic——-集電極直流電流或交流電流的平均值
IE——-發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值
Icbo——-基極接地,發(fā)射極對地開路,在規(guī)定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流
Iceo——-發(fā)射極接地,基極對地開路,在規(guī)定的反向電壓VCE條件下,集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
Iebo——-基極接地,集電極對地開路,在規(guī)定的反向電壓VEB條件下,發(fā)射極與基極之間的反向截止電流
Icer——-基極與發(fā)射極間串聯(lián)
電阻R,集電極與發(fā)射極間的電壓VCE為規(guī)定值時,集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
Ices——-發(fā)射極接地,基極對地短路,在規(guī)定的反向電壓VCE條件下,集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
Icex——-發(fā)射極接地,基極與發(fā)射極間加指定偏壓,在規(guī)定的反向偏壓VCE下,集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
ICM——-集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。
IBM——-在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi),能連續(xù)地通過基極的直流電流的最大值,或交流電流的最大平均值
ICMP——-集電極最大允許脈沖電流
ISB——-二次擊穿電流
IAGC——-正向自動控制電流
Pc——-集電極耗散功率
PCM——-集電極最大允許耗散功率
Pi——-輸入功率
Po——-輸出功率
Posc——-
振蕩功率
Pn——-噪聲功率
Ptot——-總耗散功率
ESB——-二次擊穿能量
rbb——-基區(qū)擴展
電阻(基區(qū)本征
電阻)
rbbCc——-基極-集電極時間常數(shù),即基極擴展
電阻與集電結(jié)
電容量的乘積
rie——-發(fā)射極接地,交流輸出短路時的輸入
電阻roe——-發(fā)射極接地,在規(guī)定VCE、Ic或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸出
電阻RE——-外接發(fā)射極
電阻(外電路參數(shù))
RB——-外接基極
電阻(外電路參數(shù))
Rc ——-外接集電極
電阻(外電路參數(shù))
RBE——-外接基極-發(fā)射極間
電阻(外電路參數(shù))
RL——-負載
電阻(外電路參數(shù))
RG——-信號源內(nèi)阻
Rth——-熱阻
Ta——-環(huán)境溫度
Tc——-管殼溫度
Ts——-結(jié)溫
Tjm——-最大允許結(jié)溫
Tstg——-貯存溫度
td————延遲時間
tr——-上升時間
ts——-存貯時間
tf——-下降時間
ton——-開通時間
toff——-關(guān)斷時間
VCB——-集電極-基極(直流)電壓
VCE——-集電極-發(fā)射極(直流)電壓
VBE——-基極發(fā)射極(直流)電壓
VCBO——-基極接地,發(fā)射極對地開路,集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VEBO——-基極接地,集電極對地開路,發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VCEO——-發(fā)射極接地,基極對地開路,集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCER——-發(fā)射極接地,基極與發(fā)射極間串接
電阻R,集電極與發(fā)射極間在指定條件下的最高耐壓
VCES——-發(fā)射極接地,基極對地短路,集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCEX——-發(fā)射極接地,基極與發(fā)射極之間加規(guī)定的偏壓,集電極與發(fā)射極之間在規(guī)定條件下的最高耐壓
Vp——-穿通電壓。
VSB——-二次擊穿電壓
VBB——-基極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
Vcc——-集電極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
VEE——-發(fā)射極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))
VCE(sat)——-發(fā)射極接地,規(guī)定Ic、IB條件下的集電極-發(fā)射極間飽和壓降
VBE(sat)——-發(fā)射極接地,規(guī)定Ic、IB條件下,基極-發(fā)射極飽和壓降(前向壓降)
VAGC——-正向自動增益控制電壓
Vn(p-p)——-輸入端等效噪聲電壓峰值
V n——-噪聲電壓
Cj——-結(jié)(極間)
電容, 表示在
二極管兩端加規(guī)定偏壓下,鍺檢波
二極管的總
電容Cjv——-偏壓結(jié)
電容Co——-零偏壓
電容Cjo——-零偏壓結(jié)
電容Cjo/Cjn——-結(jié)
電容變化
Cs——-管殼
電容或封裝
電容Ct——-總
電容CTV——-電壓溫度系數(shù)。在
測試電流下,穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比
CTC——-
電容溫度系數(shù)
Cvn——-標稱
電容IF——-正向直流電流(正向
測試電流)。鍺檢波
二極管在規(guī)定的正向電壓VF下,通過極間的電流;硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下,在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流(平均值),硅開關(guān)
二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流;測穩(wěn)壓
二極管正向電參數(shù)時給定的電流
IF(AV)——-正向平均電流
IFM(IM)——-正向峰值電流(正向最大電流)。在額定功率下,允許通過
二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光
二極管極限電流。
IH——-恒定電流、維持電流。
Ii——- 發(fā)光
二極管起輝電流
IFRM——-正向重復峰值電流
IFSM——-正向不重復峰值電流(浪涌電流)
Io——-整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流
IF(ov)——-正向過載電流
IL——-
光電流或穩(wěn)流
二極管極限電流
ID——-暗電流
IB2——-單結(jié)
晶體管中的基極調(diào)制電流
IEM——-發(fā)射極峰值電流
IEB10——-雙基極單結(jié)
晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流
IEB20——-雙基極單結(jié)
晶體管中發(fā)射極向電流
ICM——-最大輸出平均電流
IFMP——-正向脈沖電流
IP——-峰點電流
IV——-谷點電流
IGT——-
晶閘管控制極觸發(fā)電流
IGD——-晶閘管控制極不觸發(fā)電流
IGFM——-控制極正向峰值電流
IR(AV)——-反向平均電流
IR(In)——-反向直流電流(反向漏電流)。在測反向特性時,給定的反向電流;硅堆在正弦半波
電阻性負載電路中,加反向電壓規(guī)定值時,所通過的電流;硅開關(guān)
二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流;穩(wěn)壓
二極管在反向電壓下,產(chǎn)生的漏電流;整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM——-反向峰值電流
IRR——-晶閘管反向重復平均電流
IDR——-晶閘管斷態(tài)平均重復電流
IRRM——-反向重復峰值電流
IRSM——-反向不重復峰值電流(反向浪涌電流)
Irp——-反向恢復電流
Iz——-穩(wěn)定電壓電流(反向
測試電流)。
測試反向電參數(shù)時,給定的反向電流
Izk——-穩(wěn)壓管膝點電流
IOM——-最大正向(整流)電流。在規(guī)定條件下,能承受的正向最大瞬時電流;在
電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波
二極管的最大工作電流
IZSM——-穩(wěn)壓
二極管浪涌電流
IZM——-最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓
二極管允許通過的電流
iF——-正向總瞬時電流
iR——-反向總瞬時電流
ir——-反向恢復電流
Iop——-工作電流
Is——-穩(wěn)流
二極管穩(wěn)定電流
f——-頻率
n——-
電容變化指數(shù);
電容比
Q——-優(yōu)值(品質(zhì)因素)
δvz——-穩(wěn)壓管電壓漂移
di/dt——-通態(tài)電流臨界上升率
dv/dt——-通態(tài)電壓臨界上升率
PB——-承受脈沖燒毀功率
PFT(AV)——-正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?BR>PFTM——-正向峰值耗散功率
PFT——-正向?qū)ǹ偹矔r耗散功率
Pd——-耗散功率
PG——-門極平均功率
PGM——-門極峰值功率
PC——-控制極平均功率或集電極耗散功率
Pi——-輸入功率
PK——-最大開關(guān)功率
PM——-額定功率。硅
二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率
PMP——-最大漏過脈沖功率
PMS——-最大承受脈沖功率
Po——-輸出功率
PR——-反向浪涌功率
Ptot——-總耗散功率
Pomax——-最大輸出功率
Psc——-連續(xù)輸出功率
PSM——-不重復浪涌功率
PZM——-最大耗散功率。在給定使用條件下,穩(wěn)壓
二極管允許承受的最大功率
RF(r)——-正向微分
電阻。在正向?qū)〞r,電流隨電壓指數(shù)的增加,呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下,電壓增加微小量△V,正向電流相應(yīng)增加△I,則△V/△I稱微分
電阻RBB——-雙基極
晶體管的基極間
電阻RE——-射頻
電阻RL——-負載
電阻Rs(rs)————串聯(lián)
電阻Rth————熱阻
R(th)ja————結(jié)到環(huán)境的熱阻
Rz(ru)——-動態(tài)
電阻R(th)jc——-結(jié)到殼的熱阻
r δ——-衰減
電阻r(th)——-瞬態(tài)
電阻Ta——-環(huán)境溫度
Tc——-殼溫
td——-延遲時間
tf——-下降時間
tfr——-正向恢復時間
tg——-電路換向關(guān)斷時間
tgt——-門極控制極開通時間
Tj——-結(jié)溫
Tjm——-最高結(jié)溫
ton——-開通時間
toff——-關(guān)斷時間
tr——-上升時間
trr——-反向恢復時間
ts——-存儲時間
tstg——-溫度補償
二極管的貯成溫度
a——-溫度系數(shù)
λp——-發(fā)光峰值波長
△ λ——-光譜半寬度
η——-單結(jié)
晶體管分壓比或效率
VB——-反向峰值擊穿電壓
Vc——-整流輸入電壓
VB2B1——-基極間電壓
VBE10——-發(fā)射極與第一基極反向電壓
VEB——-飽和壓降
VFM——-最大正向壓降(正向峰值電壓)
VF——-正向壓降(正向直流電壓)
△VF——-正向壓降差
VDRM——-斷態(tài)重復峰值電壓
VGT——-門極觸發(fā)電壓
VGD——-門極不觸發(fā)電壓
VGFM——-門極正向峰值電壓
VGRM——-門極反向峰值電壓
VF(AV)——-正向平均電壓
Vo——-交流輸入電壓
VOM——-最大輸出平均電壓
Vop——-工作電壓
Vn——-中心電壓
Vp——-峰點電壓
VR——-反向工作電壓(反向直流電壓)
VRM——-反向峰值電壓(最高
測試電壓)
V(BR)——-擊穿電壓
Vth——-閥電壓(門限電壓)
VRRM——-反向重復峰值電壓(反向浪涌電壓)
VRWM——-反向工作峰值電壓
V v——-谷點電壓
Vz——-穩(wěn)定電壓
△Vz——-穩(wěn)壓范圍電壓增量
Vs——-通向電壓(信號電壓)或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓
av——-電壓溫度系數(shù)
Vk——-膝點電壓(穩(wěn)流
二極管)
VL ——-極限電壓
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