PW2319采用先進(jìn)的溝道技術(shù),提供優(yōu)秀的RDS(ON),低柵電荷柵極電壓低至4.5V,適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。
特征
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PW2319芯片P溝道增強(qiáng)型MOSFET

時(shí)間:2021-01-14 16:22:57來(lái)源: 作者: 點(diǎn)擊:
一般說(shuō)明
PW2319采用先進(jìn)的溝道技術(shù),提供優(yōu)秀的RDS(ON),低柵電荷柵極電壓低至4.5V,適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。
特征
VDS=-40V,ID=-5A
RDS(開(kāi))<70m&Ome

一般說(shuō)明
PW2319采用先進(jìn)的溝道技術(shù),提供優(yōu)秀的RDS(ON),低柵電荷柵極電壓低至4.5V,適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。
特征
VDS=-40V,ID=-5A
RDS(開(kāi))<70mΩ@VGS=-10V
提供3針SOT23-3封裝
應(yīng)用
電池保護(hù)
負(fù)荷開(kāi)關(guān)
不間斷電源

 

絕對(duì)最大額定值(TA=25℃,除非另有說(shuō)明)

電氣特性

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